การทดสอบดี-เสีย Testing IGBT Quality

โดยใช้ประโยชน์จากการมีค่า อินพุตอิมพีแดนซ์(Input impedance) และ สปีดสวิท (Switching speeds)ที่สูงของมอสเฟต กับการใช้ประโยชน์ของการมีค่าแรงดันอิ่มตัวที่ต่ำของ ทรานทิสเตอร์แบบ2รอยต่อ เพื่อที่จะสร้างทรานซีสเตอร์รูปแบบใหม่ทีมีกระแสควบคุมได้ที่ คอลเลคเตอร์ (Collector,C)-อิมิเตอร์(Emitter;E)สูง กับกระแสที่ต้องใช้ในการขับ เกท ที่ต่ำมาก IGBT เกิดจากการนำส่วนที่ดีที่สุดของทรานทิสเตอร์และมอสเฟตมารวมกัน

เนื้อหาที่เกี่ยวข้อง

• ไอซีควบคุมชาร์จแบตเโน๊ตบุค

• โครงสร้างสวิตชิ่งพื้นฐาน

• บทเรียนมือใหม่หัดซ่อมสวิตชิ่ง

• ปฐมบทภาคจ่ายไฟสวิตชิ่ง

  

𝗪𝗮𝗿𝗻𝗶𝗻𝗴! 

เพิ่มเติม. กระแส ที่ C-E สูงจะสามารถขับโหลดขนาดหนักได้ และ กระแสที่ใช้ในการขับ Gate ต่ำทำให้ออกแบบวงจรภาค เกทไดร์เวอร์(Gate driver) จากสัญญาน PWM ง่ายการควบคุมก็การเปิด ปิด IGBT ก็จะง่ายไปด้วย

                         

การวัด IGBT

@fcom39 ICBG checking with analog multimeter #ช่างอิเล็กทรอนิกส์ #electronics ♬ original sound - FCOM39

คุณลักษณะของ IGBT

igbt circuit characteristics

จากการที่ IGBT เป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ความคุมจากการจ่ายแรงดัน ซึ่งมันต้องการแรงดันแค่เพียงเล็กน้อยเท่านั้นเองก็สามารถสั่งการให้ทำงานได้ ซึ่งจะต่างไปจาก BJT(2รอยต่อ) ที่ต้องการกระแสที่เบสที่ต่อเนื่องและเป็นปริมาณที่เฉพาะเจาะจงเพื่อไม่ให้ BJT เกิดอาการอิ่มตัว ซึ่งลักษณะการสั่งการทำงานจะเห็นว่า IGBT จะเห็นว่ามีลักษณะทีjเป็น Unidirectional (ทิศทางเดียว) คือ สามารถทำการสั่งการโดยการจ่ายกระแสเพียงแค่ทางเดียว และควบคุมได้เพียง Forward direction(ทิศทางตรง) เท่านั้น ซึ่งไม่เหมือนกับ MOSFET ซึ่งสามารถควบคุมการทำงานได้แบบ  Bi-directional(2ทิศทาง)

สังเกตว่าการทำงานและวงจรขับเกท (Gate driver circuit) สำหรับ IGBT นั้นค่อนข้างจะเหมือนคล้ายๆกับ  N-channel power MOSFET  สิ่งที่ทำให้การออกแบบวงจรขับเกทของ IGBT และ N-channel power MOSFET  คล้ายกันน่าจะมาจากการที่มี Ron - The slope of the conduction after that point ที่เหมือนๆกันเมื่ออยู่ในสถานะนำกระแส 

IGBT มักจะถูกใช้ในอุปกรณ์เพาเวอร์อิเล็กทรอนิค เช่น อินเวอร์เตอร์ , Converter , Power Supply แทนที่การใช้ MOSFETs และ BJT เช่นปัจจุบันนิยมอย่างมากในการนำเอา IGBT มาใช้ในตู้เชื่มอินเวอร์เตอร์ เมื่อต้องงานที่มี่กระแสและแรงดันที่สูงและมีความสามารถในการรับความถี่ของการสวิตซ์ที่ค่อนข้างสูง

Bipolar junction transistors (BJTs) have very low on-resistance, but also low input resistance because it takes a current to switch the device.

Field effect transistors (FETs) do not have as low of an on-resistance, but their input resistance is very high. This means it takes very little current to switch the device.

Insulated gate bipolar transistors (IGBTs) are a combination of a BJT and a FET. The input signal is driving a FET so it has a very high input resistance. The FET drives the base of a BJT that provides the low on-resistance.

ทริปงานซ่อมภาคจ่ายไฟที่น่ารู้

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -  - - -

การวัดไอซีพัลล์

ทำเครื่องป้องกันช๊อต ซ่อมสวิทชิ่ง

การวัด  C ,TR , Mosfet 

บล็อกไดอะแกรม สวิทชิ่งพื้นฐาน

✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦  ขึ้นบน

การวัดไอซีพัลล์

✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦  ขึ้นบน

ทำเครื่องป้องกันช๊อต ซ่อมสวิทชิ่ง

✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦  ขึ้นบน

การวัด  C ,TR , Mosfet 

✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦   ✦  ขึ้นบน

บล็อกไดอะแกรม สวิทชิ่งพื้นฐาน

DATASHEET

UC3842

NE555

FDMS7692

----------------------------------------

สนใจส่งเมนบอร์ดซ่อม ราคาส่ง 

สอบถามช่องทางติดต่อด้านล่าง

ซ่อมบอร์ดโน๊ตบุคราคาเพื่อนช่าง